NCE01P03S دیتاشیت

NCE01P03S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE01P03S
حجم فایل 76.126 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCE01P03S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE01P03S
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 25nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 760pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.9V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 170pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 170mΩ@10V,3A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه